[시사경제신문=이재영 기자] 정부는 1일 발표한 '시스템반도체 기술혁신 지원방안'에 따르면, 올해 시스템반도체 분야를 집중 육성하기 위해 총 2천400억원 규모의 연구개발(R&D)을 지원한다.

이날 정부는 서울청사에서 제3차 혁신성장 '빅3' 추진 회의를 열고, 글로벌 K팹리스(반도체 설계회사) 육성을 위해 전력반도체, 차세대 센서, 인공지능 반도체 등 시스템 반도체의 유망 분야를 집중 지원한다고 밝혔다.

성윤모 산업통상자원부 장관은 "올해 차세대 센서, 신개념 인공지능 반도체(PIM) 등 대규모 R&D 3대 프로젝트를 마련한다"면서 "향후 10년간 총 2조5천억 원이 투입되는 이 프로젝트가 우리 반도체 생태계 전반에 활력을 불어넣을 것"이라고 말했다.

차세대 전력 반도체인 실리콘카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN) 반도체는 기존 실리콘(Si)보다 높은 내구성과 전력 효율을 지녀 성장 가능성이 높은 분야로 꼽힌다. 정부는 이런 신소재 기반 전력 반도체 상용화를 위해 R&D 신설을 검토 중이다.

구체적으로는 팹리스 성장 지원, 유망시장 선점, 신시장 도전을 주요 방향으로 정하고, 핵심 유망품목에 대한 기술 경쟁력 확보를 추진한다.
성장 가능성이 높은 팹리스를 대상으로 자유 공모를 통해 경쟁력 있는 전략제품 개발을 지원하며 1천억원 이상의 '챌린지형 R&D'를 신설한다. 또, 중소 팹리스 육성을 위해선 창업기업 지원, 혁신기술 개발, 상용화 기술개발, 투자형 기술개발 등 다양한 R&D 지원을 할 방침이다.

각종 전자기기 및 전기차, 수소차 등 미래차의 핵심 부품인 차세대 전력 반도체와 데이터 수집을 담당하는 차세대 센서 R&D 역시 강화한다.
아울러, 인공지능 반도체 R&D 핵심사업인 차세대 지능형 반도체 기술 개발 사업이 성과를 낼 수 있도록 지난해 831억원에서 올해 1천223억원으로 지원 규모를 확대하는 등 신시장 도전을 뒷받침할 계획이다.

최기영 과학기술정보통신부 장관은 "우리의 강점인 반도체 제조 역량을 기반으로 민간의 기술혁신을 적극 뒷받침해 세계 시장을 선도하는 초격차 기술력을 확보하고 제2의 D램 신화를 이뤄내겠다"고 강조했다.